发布时间：2023-03-06 来源：网络
米乐M61 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到网站仔细阅读年度报告全文。
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析：四、风险因素”部分内容。
3 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
经公司第二届董事会第三次会议审议通过《关于2022年度利润分配预案的议案》，公司2022年度利润分配预案如下：截至2022年12月31日，公司总股本共433,557,100股，拟每10股派发现金红利3.72元（含税），共计派发现金红利161,283,241.20元（含税），本次利润分配现金分红金额占2022年合并报表归属于母公司股东净利润的24.13%。本次利润分配不送红股，不进行资本公积转增股本。
如在公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股、回购股份、股权激励授予股份回购注销、重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。如后续总股本发生变化，将另行公告具体调整情况。
公司从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备、立式炉管设备和前道涂胶显影设备和等离子体增强化学气相沉积设备等的开发、制造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，有效提升客户多个步骤的生产效率、产品良率，并降低生产成本。
公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备（包括氧化、扩散、真空回火、LPCVD、ALD）、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。
晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。
公司自主研发的SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。
公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3D NAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。
公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升客户的生产效率。
随着技术节点推进到10nm及以下，工艺温度要求在145摄氏度以上，甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对SPM的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于先进逻辑、DRAM，3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其针对处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀、剥离工艺。
公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除，刻蚀后清洗，离子注入后清洗，机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中温SPM清洗设备相媲美，与此同时，与单片清洗设备相比，还可大幅减少硫酸使用量，帮助客户降低了生产成本又能更好的符合节能减排的政策。该设备已完成客户端验证，进入量产阶段。
公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。
该设备支持多种器件和工艺，包括3D NAND、DRAM和先进逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法来去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。
采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。
公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以先进的常压IPA干燥技术及先进的低压IPA干燥技术，能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。
公司自主开发针对28-14nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术Ultra ECP map。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层（5nm）上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的沉积铜膜厚的均匀性，可满足先进工艺的镀铜需求。
应用于填充3d硅通孔TSV和2.5d转接板的三维电镀设备Ultra ECP 3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。为提高产能而做的堆叠式腔体设计，该设备还能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。
2022年Ultra ECP GIII电镀设备在客户实现量产，应用于背面深孔镀金和金互联线以及Cu-Ni-Au等领域。通过差异化的技术以及灵活的模块化设计，使新型化合物半导体电镀机的竞争力进一步提升。
公司研发的立式炉管设备主要包括LPCVD、氧化炉、扩散炉和炉管ALD。报告期内，公司以Ultra Fn立式炉设备平台为基础，进一步推出了ALD（热原子层沉积）立式炉Ultra FnA。这款设备聚焦核心技术研发，力求满足高产能批式ALD工艺的高端要求。在能满足原子层沉积工艺的同时具备低累积膜厚气体清洗功能，保证颗粒的稳定性。
公司的前道涂胶显影Ultra LithTM Track设备是一款应用于300毫米前道集成电路制造工艺的设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口，支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。
公司的等离子体增强化学气相沉积Ultra PmaxTM PECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性，更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。
公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术CMP相结合，集成创新了低k/超低k介电质铜互连平坦化Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度，再采用无应力抛光SFP智能抛光控制将直至阻挡层。再采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低k/超低k互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环实用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤；其三，可以将工艺扩展至新型材料钴（Co）和钌（Ru）作为阻挡层的铜低k/超低k互联结构中。
公司推出了6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。
公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题，2022年在高速电镀锡银方面也实现突破，在客户端成功量产。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。2022年进一步扩大市场规模并取得高端客户的批量订单。
公司的升级版8/12寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布、软烤及边缘去除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。
公司的Ultra C dv显影设备可应用于晶圆级封装，是WLP光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，能够实现精准的药液控制，技术先进，使用便捷。
公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备先进的喷嘴扫描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性，专注安全性，且药液回收使用可减少成本。
公司的Ultra C pr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了WLP产能。该设备将湿法槽式浸洗与单片晶圆清洗相结合，能够在灵活控制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极难去除的光刻胶涂层。
公司的湿法金属剥离（Metal Lift off）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的问题。
公司拓展开发适用于先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高，晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化CMP，没有研磨液，抛光头，和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通过与CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm - 0.2μm厚度，再退火处理，最后CMP工艺的解决方案，能够有效解决CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。
公司的CMP后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备在CMP步骤之后，使用稀释的化学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污染，该设备也可以选配公司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置，可以选配2、4或6个腔体，以满足不同产能需求。
公司的Final Clean清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底制造。这款设备在Pre Clean步骤之后，使用稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以控制晶圆表面颗粒和金属污染。该设备适用于6寸、8寸或12寸晶圆清洗，并且可以选配4腔体、8腔体或12腔体，以满足不同产能需求。
公司作为一家面向国际科技前沿、坚持自主创新的半导体专用设备企业，遵循全球行业惯例，主要从事技术和工艺研发、产品设计和制造，为客户提供设备和工艺解决方案。公司自身几乎不从事零部件加工业务，公司根据对产品的设计，组织零部件外购及外协，建立了完善的供应链体系，与核心供应商建立了密切的合作关系，根据公司的销售预测，提前部署下一年度的产能需求，提前做好产能安排及快速交付计划，保障了对重要零部件的供应。作为设备厂商，公司提供验证平台，通过设备厂商带动零部件技术攻关，实现对零部件企业的商业赋能。公司通过长期研发积累形成的技术优势，保持较高的产品毛利，进而保持较高比例的研发投入及市场开拓，在报告期内实现了较高的利润率。
公司主要采用自主研发的模式。公司研发部门以半导体专用设备国际技术动态、客户需求为导向，采用差异化竞争的策略，依靠具有丰富经验的国际化研发团队，研发新工艺、新技术，完成技术方案的验证，并在全球主要半导体生产国家及地区申请专利保护，把研发成果快速产业化，取得了一系列的技术创新和突破。此外，公司在韩国组建了专业的研发团队，结合中国上海以及韩国双方研发团队的各自优势，共同研发用于公司产品的差异化相关技术，提升公司产品性能。公司制定了《研发项目管理办法》，对研发项目的立项、审批、执行等流程进行了规定。未来公司将继续吸引国内外的优秀人才，扩大充实公司世界一流的研发团队，为全球客户不断地提供最好的工艺解决方案。
为保障公司产品质量和性能，公司建立了完善的采购体系，在报告期内进一步优化了供应链资源、供应商准入体系和零部件供应策略。持续要求供应商填写《供方调查表》，建立供应商档案，了解供应商的人员情况、生产能力、设计能力、财务情况、关键零部件供应商情况、生产和检测设备情况等，对供应商的产品技术与质量、按时交货能力和售后服务等进行综合评估，最终确定合格供应商，纳入合格供应商名单。报告期内，公司保持与主要供应商稳定的长期合作关系。
公司产品均为根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，主要采取以销定产的生产模式，按客户订单组织生产。
公司制造部根据市场预测或客户的非约束性预测，编制年度生产计划，并结合客户订单情况编制每月生产计划。公司研发设计工程师根据客户订单提供装配图纸，分发到仓库和生产车间，进行仓库领料、配料和装配，预装配并预检合格后，交由生产线组装，并进行各模块的功能测试，测试合格后，下线发货。公司对外协加工的质量严格把关，与外协厂商建立了多年稳定的合作关系，确保符合客户的差异化需求。
公司自设立以来，始终坚持全球化发展战略，客户主要位于中国、中国、韩国等国家和地区。公司的市场开拓策略为：首先开拓全球半导体龙头企业客户，通过长时间的研发和技术积累，取得其对公司技术和产品的认可，以树立公司的市场声誉。然后凭借在国际行业取得的业绩和声誉，持续开拓中国等半导体行业新兴区域市场。经过多年的努力，公司已与海力士、华虹集团、长江存储、中芯国际、合肥长鑫等国内外半导体行业龙头企业形成了较为稳定的合作关系。
公司通过直销模式销售产品，不存在分销和经销模式。报告期内，公司通过委托代理商推广、与潜在客户商务谈判或通过招投标等方式获取订单。
2021年，中国半导体设备市场销售额为296.2亿美元，同比大幅增长58%，全球市场占比28.9%，相比2020年占比小幅提高，第二次成为全球最大半导体设备市场。近两年来，在全球缺芯的浪潮和国内半导体市场强劲需求的推动下，中国再次掀起了晶圆产能建设的。Knometa Research 2022年版《全球晶圆产能报告》中预计，到2024年，在全球IC晶圆产能中，中国的份额将达到19%，而这些新建的晶圆产能大多数是中国实体所为。晶圆产能的扩张促进了中国半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为中国半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。
据SEMI的《全球半导体设备市场统计报告》，2022年全球半导体设备的销售规模有望突破千亿大关，为1175亿美元，创历史最高，小幅超越2021年的销售额（1026亿美元）。从全球范围来看，中国、中国和韩国在全球半导体设备市场中最为活跃，是半导体产业投资的热点地区；受消费电子、物联网、工业互联、汽车电子等领域快速发展的影响，设备投资大幅上升。
半导体行业具有生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高风险大、下游应用广泛等特点，叠加下游新兴应用市场的不断涌现，半导体产业链从集成化到垂直化分工的趋势越来越明确。目前，中国作为全球最大半导体终端产品消费市场，中国半导体产业的规模不断扩大，中国半导体专用设备需求将不断增长。与此同时，受国内外疫情的影响，国际形势复杂，全球半导体产业区域竞争加剧。
半导体专用设备作为半导体产业链中核心技术与工艺的载体，在产业发展中发挥着重要的基础性支撑作用。半导体专用设备的技术复杂，客户对设备的技术参数、运行的稳定性有苛刻的要求，以保障生产效率、质量和良率。集成电路制造工艺的技术进步，反过来也会推动半导体专用设备企业不断追求技术革新。同时，集成电路行业的技术更新迭代也带来对于设备投资的持续性需求，而半导体专用设备的技术提升，也推动了集成电路行业的持续快速发展。
半导体专用设备行业为技术密集型行业，生产技术涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识的综合运用。半导体专用设备行业的国际巨头企业的市场占有率很高，特别是在光刻机、检测设备、离子注入设备等方面处于垄断地位，且其在大部分技术领域已采取了知识产权保护措施，因此半导体专用设备行业的技术壁垒非常高。中国少数企业经过了十年以上的技术研发和工艺积累，在部分领域实现了技术突破和创新，在避免知识产权纠纷的前提下，成功推出了差异化的产品，得到国内外客户的认可，产品走向了国际市场。半导体专用设备价值较高、技术复杂，对下游客户的产品质量和生产效率影响较大。半导体行业客户对半导体专用设备的质量、技术参数、稳定性等有严苛的要求，对新设备供应商的选择也较为慎重。一般选取行业内具有一定市场口碑和市占率的供应商，并对其设备开展周期较长的验证流程。因此，半导体专用设备企业在客户验证、开拓市场方面周期较长、难度较大。
（3）集成电路设备行业技术门槛高，公司的技术水平与国际巨头仍有差距，需加快技术研发与产业化进程。当今国际先进水平的集成电路设备涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识综合运用及动态密封技术、超洁净室技术、微粒及污染分析技术等多种尖端制造技术。因此，集成电路设备具有技术含量高、制造难度大、设备价值高和行业门槛高等特点，被公认为工业界精密制造最高水平的代表之一。
全球半导体清洗设备市场高度集中，尤其在单片清洗设备领域，DNS、TEL、LAM与SEMES四家公司合计市场占有率达到90%以上，其中DNS市场份额最高，市场占有率在35%以上。本土12英寸晶圆厂清洗设备主要来自DNS、盛美上海、LAM、TEL。
目前，中国能提供半导体清洗设备的企业较少，主要包括盛美上海、北方华创、芯源微及至纯科技。公司2020年销售额突破10亿元，2021年的收入达到16亿元，比2020年销售额增长约60%，位列全国集成电路设备企业前三；具备了成为国际领先集成电路设备企业的基础和潜力。
根据中银证券专题报告的历年累计数据统计显示，公司清洗设备的国内市占率为23%；而Gartner2021年数据显示，公司在全球单片清洗设备的市场份额已升至5.1%。除清洗设备外，公司亦积极扩大产品组合，在半导体电镀设备、半导体抛铜设备、先进封装湿法设备、立式炉管设备等领域扩大布局。2022年推出多款新设备新工艺产品，包括前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备等。2021年中国半导体专用设备制造五强企业中，公司位列其中。
为落实“十四五”数字经济发展规划，支撑新一代信息技术产业率先发展，中国大力发展半导体制造装备及工艺，促进科技创新，提升产业链关键环节竞争力，加快制造业产业转型升级，加强引领性科技攻关，保障数字经济发展基础。
随着半导体技术的不断进步，半导体器件集成度不断提高。一方面，芯片工艺节点不断缩小，由12μm-0.35μm（1965年-1995年）到65nm-3nm（2005年-2022年），且还在向更先进的方向发展；另一方面半导体晶圆的尺寸却不断扩大，主流晶圆尺寸已经从4英寸、6英寸，发展到现阶段的8英寸、12英寸。此外，半导体器件的结构也趋于复杂。例如存储器领域的NAND闪存，根据国际半导体技术路线图预测，当工艺尺寸到达14nm后，目前的Flash存储技术将会达到尺寸缩小的极限，存储器技术将从二维转向三维架构，进入3D时代。3D NAND制造工艺中，主要是将原来2D NAND中二维平面横向排列的串联存储单元改为垂直排列，通过增加立体层数，解决平面上难以微缩的工艺问题，堆叠层数也已经从32层、64层向256层发展。这些对半导体专用设备的精密度与稳定性的要求越来越高，未来半导体专用设备将向高精密化与高集成化方向发展。
考虑到半导体芯片的应用极其广泛，不同应用领域对芯片的性能要求及技术参数要求差异较大，如手机使用的SoC逻辑芯片，往往需要使用12英寸晶圆、7nm的先进工艺，而对于工业、汽车电子、电力电子用途的芯片，仍在大量使用6英寸和8英寸晶圆及μm级工艺。不同技术等级的芯片需求大量并存，这也决定了不同技术等级的半导体专用设备均存在市场需求。未来随着半导体产业技术的持续发展，适用于12英寸晶圆以及更先进工艺的半导体专用设备需求将以更快的速度成长，但高、中、低各类技术等级的设备均有其对应的市场空间，短期内将持续并存发展。
2022年公司推出了多款新设备和新工艺产品。包括新型化合物半导体湿法刻蚀设备、18腔300mm Ultra C VITM单晶圆清洗设备、全新升级版先进封装用涂胶设备、新型化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备、新型热原子层沉积Ultra FnATM立式炉设备、新添金属剥离工艺的Ultra C prTM设备、前道涂胶显影Ultra LithTM Track设备、等离子体增强化学气相沉积Ultra PmaxTM PECVD设备。
4.1 普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前10名股东情况
1 公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
报告期内，公司实现营业收入28.73亿元，较上年同期增长77.25%；归属于上市公司股东的净利润为6.68亿元，较上年同期增长151.08%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为6.90亿元，较上年同期增长254.27%。
2 公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终止上市情形的原因。
本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。
●本次利润分配以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，具体日期将在权益分派实施公告中明确。
●在实施权益分派的股权登记日前公司总股本发生变动的，维持分配总额不变，相应调整每股分配比例，并将另行公告具体调整情况。
●公司2022年年度拟分配的现金红利总额与2022年年度归属于上市公司股东净利润之比低于30%，主要出于对目前公司所处的行业特点及发展阶段，结合目前经营状况及未来资金需求的综合考虑。为推动公司各项战略规划落地，保证公司持续、稳定、健康发展，公司提出此2022年度利润分配方案，既保护广大投资者的合法权益，又兼顾公司持续稳定发展的需求。
第ZI10026号），2022年母公司实现税后净利润645,491,702.25元，提取10%的法定盈余公积金64,549,170.23元，加上年初母公司未分配利润477,072,770.33元。截至2022年12月31日，母公司实现可供分配利润额为人民币1,058,015,302.35元。经第二届董事会第三次会议决议，公司2022年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数进行利润分配。本次利润分配方案如下：
截至2022年12月31日，公司总股本为433,557,100股，以总股本为基准，拟每10股派发现金红利3.72元（含税），共计派发现金红利161,283,241.20元（含税），本次利润分配现金分红金额占2022年合并报表归属于母公司股东净利润的24.13%。本次利润分配不送红股，不进行资本公积转增股本。
如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生增减变动的，公司维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。
报告期内，上市公司实现归属于上市公司股东的净利润668,486,949.72元，截至2022年12月31日，母公司累计未分配利润为1,058,015,302.35元，公司拟分配的现金红利总额为161,283,241.20（含税），占本年度归属于上市公司股东的净利润比例低于30%，具体原因分项说明如下：
公司所处的半导体专用设备行业属于技术密集型行业，涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等众多学科领域，具有较高的技术研发门槛。全球半导体专用设备行业市场竞争激烈，国际头部企业每年都将大量资金投入研发以保证产品的技术提升及在市场中的竞争力，公司产品在其面向的市场均与国际头部企业直接竞争。在此情况下，公司需要投入大量资金用于推动技术创新和产品升级，以不断提升公司技术实力与核心竞争力。
公司目前正处于快速成长及战略布局的重要发展阶段，经营规模不断增大。公司将紧紧围绕整体发展战略，以技术创新为核心发展动力，以市场为导向，不断提高经营管理水平，持续在技术突破、新产品研制开发、人才培养、市场开拓、兼并收购、内控建设等多方面保持较大投入，加强公司领先优势，加快战略项目拓展，巩固并提升市场占有率，在保持合理的毛利率的同时，扩大公司的收入规模，为客户及股东创造价值。
公司2022年度实现营业收入2,873,045,516.26元，同比增长77.25%，实现归属于上市公司股东的净利润668,486,949.72元，同比增长151.08%。公司盈利能力不断增强，整体财务状况向好。但因处于快速发展阶段仍有较大的资金需求。在充分考虑了目前的行业发展状况、公司发展战略以及重大资金支出安排等因素后，公司决定留存足额资金来满足研发投入、产能建设、业务发展及流动资金需求，充分保障公司平稳运营、健康发展。
鉴于目前公司所处的行业特点及发展阶段，结合目前经营状况及未来资金需求，为推动公司各项战略规划落地，保证公司持续、稳定、健康发展，公司提出此2022年度利润分配方案，既保护广大投资者的合法权益，又兼顾公司持续稳定发展的需求。
公司留存未分配利润将转入下一年度，用于加大研发投入、加强生产经营发展，以提升公司核心竞争力，提高产品竞争力，进一步提升公司行业地位。公司将继续严格按照相关法律法规和《公司章程》等相关规定的要求，并结合公司所处发展阶段、经营情况、现金流等各种因素，积极履行公司的利润分配政策，与投资者共享公司发展的成果，更好地维护全体股东的长远利益。
2023年2月23日，公司召开第二届董事会第三次会议，全票审议通过了《关于2022年度利润分配预案的议案》，并同意提交公司2022年年度股东大会审议，经批准后实施。
公司独立董事认为：公司2022年度利润分配预案，是公司基于行业发展情况、公司发展阶段、自身经营模式及资金需求的综合考虑。其决策程序合法，符合有关法律法规、中国证券监督管理委员会及上海证券交易所的相关规定，符合《公司章程》的相关规定，符合公司实际情况和长期发展规划的需要，不存在损害公司及全体股东，特别是中小股东利益的情形。综上，我们一致同意公司2022年度利润分配预案，并同意董事会将该议案提交股东大会审议。
公司监事会认为：公司2022年度利润分配预案符合《公司法》等相关法律法规和《公司章程》的有关规定，未损害公司股东尤其是中小股东的利益，有利于公司的正常经营和未来的健康发展。
公司本次利润分配预案结合了公司目前的发展阶段、未来的资金需求等因素，不会对公司经营现金流产生重大影响，不会影响公司正常经营和长期发展。
公司2022年度利润分配预案尚需提交公司2022年年度股东大会审议通过后方可实施，敬请投资者注意投资风险。
本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。
盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“公司”）于2023年2月23日召开第二届董事会第三次会议，审议通过了《关于续聘2023年度审计机构的议案》，公司拟续聘立信会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“立信”）为公司2023年度审计机构。该议案尚需提交公司股东大会审议，现将相关事宜公告如下：
立信会计师事务所（特殊普通合伙）由我国会计泰斗潘序伦博士于1927年在上海创建，1986年复办，2010年成为全国首家完成改制的特殊普通合伙制会计师事务所，注册地址为上海市，首席合伙人为朱建弟先生。立信是国际会计网络BDO的成员所，长期从事证券服务业务，新证券法实施前具有证券、期货业务许可证，具有H股审计资格，并已向美国公众公司会计监督委员会（PCAOB）注册登记。
截至2022年末，立信拥有合伙人267名、注册会计师2,392名、从业人员总数10,620名，签署过证券服务业务审计报告的注册会计师674名。
立信2021年业务收入（经审计）45.23亿元，其中审计业务收入34.29亿元，证券业务收入15.65亿元。
2021年度立信为587家上市公司提供年报审计服务，审计收费7.19亿元，本公司同行业上市公司审计客户398家。
截至2022年末，立信已提取职业风险基金1.61亿元，购买的职业保险累计赔偿限额为12.50亿元，相关职业保险能够覆盖因审计失败导致的民事赔偿责任。
立信近三年因执业行为受到刑事处罚无、行政处罚2次、监督管理措施30次、自律监管措施无和纪律处分2次，涉及从业人员82名。
项目合伙人、签字注册会计师和质量控制复核人不存在违反《中国注册会计师职业道德守则》对独立性要求的情形。
公司2022年度的审计费用为人民币290万元，其中财务报告审计费用250万元、内部控制审计费用40万元。2023年审计费用定价原则主要基于公司的业务规模、所处行业和会计处理复杂程度等多方面因素，并根据审计人员配备情况和投入的工作量以及事务所的收费标准确定。
公司董事会提请股东大会授权公司管理层根据2023年公司实际业务情况和市场情况等与审计机构协商确定审计费用（包括财务报告审计费用和内部控制审计费用），并签署相关服务协议等事项。
公司董事会审计委员会对立信会计师事务所（特殊普通合伙）的资质进行了严格审核。审计委员会认为其具备证券、期货相关业务执业资格，具备审计的专业能力和资质，在为公司提供审计服务期间，坚持独立审计原则，勤勉尽责，客观、公正、公允地反映公司财务状况、经营成果，切实履行了审计机构应尽的职责。一致同意将续聘立信会计师事务所（特殊普通合伙）为公司2023年度审计机构事项提交公司董事会审议。
独立董事事前认可意见：立信会计师事务所（特殊普通合伙）具备从事相关业务资格及从事上市公司审计工作的丰富经验和职业素养，在与公司的合作过程中，为公司提供了优质的审计服务，对于规范公司的财务运作起到了积极的建设性作用。其在担任公司审计机构期间，遵循《中国注册会计师独立审计准则》，勤勉、尽职，公允合理地发表了独立审计意见。因此，我们一致同意续聘立信会计师事务所（特殊普通合伙）为公司2023年度审计机构，并将《关于续聘2023年度审计机构的议案》提交至公司董事会审议。
独立董事独立意见：立信会计师事务所（特殊普通合伙）具有从事证券相关业务的资格，所出具的公司财务审计报告客观、真实，准确反映了公司的财务状况、经营成果，工作勤勉尽责，执业水平良好。公司续聘2023年度审计机构的相关程序符合《中华人民共和国公司法》《盛美半导体设备（上海）股份有限公司章程》的规定，不存在损害公司和股东，特别是中小股东利益的行为。我们同意董事会审议通过相关议案后将其提交公司股东大会审议。
公司董事会已于2023年2月23日召开的第二届董事会第三次会议，审议并全票通过了《关于续聘2023年度审计机构的议案》。
本次续聘2023年度审计机构的事项尚需提交公司股东大会审议，并自公司股东大会审议通过之日起生效。
本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。
根据中国证券监督管理委员会《上市公司监管指引第2号——上市公司募集资金管理和使用的监管要求（2022年修订）》（证监会公告［2022］15号）、《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》的相关规定，本公司就2022年度募集资金存放与使用情况作如下专项报告：
经中国证券监督管理委员会《关于同意盛美半导体设备（上海）股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可[2021]2689号）批准，公司向社会公开发行人民币普通股（A股）43,355,753股，发行价格为85.00元/股，募集资金总额为人民币3,685,239,005.00元，扣除承销商保荐及承销费用人民币173,832,028.54元，减除其他与发行权益性证券直接相关的外部费用人民币30,148,456.12元（包括：审计费及验资费12,467,000.00元、律师费10,904,467.37元、用于本次发行的信息披露费用4,575,471.70元、发行手续费及材料制作费等2,201,517.05元），募集资金净额为人民币3,481,258,520.34元。上述募集资金到位情况已经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审验并出具信会师报字[2021]第ZI10561号《验资报告》。
为规范公司募集资金管理，保护中小投资者利益，公司已制定了《募集资金管理制度》，对募集资金的存放、使用以及监督等作出了具体明确的规定。报告期内，公司严格按照公司《募集资金管理制度》的规定管理和使用募集资金，募集资金的存放、使用、管理均不存在违反《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》等法规文件的规定以及公司《募集资金管理制度》等制度的情况。
2021年11月，公司和保荐机构海通证券股份有限公司分别与招商银行股份有限公司上海分行、中国光大银行股份有限公司上海昌里支行、中国银行股份有限公司上海市浦东开发区支行、上海银行股份有限公司浦东分行、招商银行股份有限公司上海陆家嘴支行、上海浦东发展银行股份有限公司黄浦支行、招商银行股份有限公司上海淮海支行、兴业银行股份有限公司上海市北支行、宁波银行股份有限公司上海长宁支行、中国工商银行股份有限公司上海自贸试验区新片区分行共同签订了《募集资金专户存储三方监管协议》，公司及全资子公司盛帷半导体设备（上海）有限公司和保荐机构海通证券股份有限公司与招商银行股份有限公司上海分行共同签订了《募集资金专户存储四方监管协议》。2022年10月，公司和保荐机构海通证券股份有限公司与上海浦东发展银行股份有限公司黄浦支行签订了《募集资金专户存储三方监管协议之补充协议》。上述监管协议明确了各方的权利和义务，协议主要条款与上海证券交易所《募集资金专户存储三方监管协议（范本）》不存在重大差异。截至2022年12月31日，上述监管协议履行正常。
本公司于2022年3月1日分别召开了第一届董事会第十七次会议和第一届监事会第十四次会议，分别审议通过了《关于使用募集资金置换预先投入募投项目及已支付发行费用的自筹资金的议案》，同意公司使用募集资金人民币209,203,489.29元置换预先投入募投项目的自筹资金，同意公司使用募集资金人民币8,636,173.92元置换已预先支付发行费用的自筹资金，合计使用募集资金人民币217,839,663.21元置换预先投入募投项目及已支付发行费用的自筹资金。公司监事会、独立董事对本事项发表了意见，保荐机构海通证券股份有限公司出具了核查意见。
立信会计师事务所（特殊普通合伙）对上述募集资金投资项目先期投入及置换情况进行了专项核验，并出具了《盛美半导体设备（上海）股份有限公司募集资金置换专项鉴证报告》（信会师报字[2022]第ZI10013号）。
具体内容详见公司于2022年3月2日在上海证券交易所网站披露的《关于使用募集资金置换预先投入募投项目及已支付发行费用的自筹资金的公告》（公告编号：2022-009）。
本公司于2022年8月18日召开第一届董事会第二十次会议、第一届监事会第十七次会议，审议通过了《关于使用闲置募集资金进行现金管理的议案》，同意公司在保证不影响募集资金计划正常进行的前提下，使用最高不超过人民币20亿元的暂时闲置募集资金用于购买安全性高、流动性好、有保本约定的投资产品，使用期限自公司董事会、监事会审议通过之日起12个月内有效。在前述额度及期限范围内，公司可以循环滚动使用。具体内容详见公司于2022年8月20日在上海证券交易所网站披露的《关于使用闲置募集资金进行现金管理的公告》（公告编号：2022-023）。
本公司于2022年8月4日召开第一届董事会第十九次会议及第一届监事会第十六次会议，审议通过《关于使用部分超募资金投资建设新项目的议案》，同意公司使用74,773.07万元（含利息收益）用于投
